Максималният обем на оперативната памет в съвременните смартфони не надхвърля 3 GB (все още). И това не просто е безполезно голям обем, но оказва влияние и върху себестойността на модулите памет. Но изглежда, че този проблем скоро може да бъде решен.

Учените отдавна работят върху нов тип памет - RRAM (resistive random access memory), която може да съхранява много повече информация от сегашните модули и то в доста по-малки размери. Въпреки това обаче, работата на тези иновативни модули до сега беше свързана със сериозни трудности - необходима е висока температура и волтаж. Това от своя страна не е най-добрият начин да се повлияе върху себестойността на RRAM.

За сега учените от Университета в Райс (в САЩ) са разрешили основните проблеми свързани с производството на RRAM и вече тази памет може да работи при стайна температура и ниско напрежение. 

Това от своя страна дава силен тласък за развитието на новите технологии. В допълнение към високата скорост на четене/запис, този тип памет може да съхранява много повече информация в сравнение с обичайните Flash-памети. Например, вече има образци на памет с обем 1TB с размерите на обикновена пощенска марка.

Представители на университета са заявили, че от тяхната технология вече интерес има голям световен производител на памети (който не се споменава). Сделката с него дава повод за предположението, че през следващите години обемът на вградената памет в смартфоните, таблетите и лаптопите може значително да се увеличи, а тяхната цена да намалее.