IBM отбеляза 20 години от създаването на енергийно независимата магниторезистивната памет с произволен достъп (MRAM). Всичко започна с управлението на единична клетка с помощта на електромагнитно поле, като тази технология сега бе значително усъвършенствана и се превърна в клетка памет в която информацията се записва с помощта на момента на въртенето на електроните - STT MRAM (spin-transfer torque MRAM).

 Клетката STT MRAM памет на IBM и Samsung има вертикална структура, съставена от зона с постоянна намагнитеност, тунелен преход и зона с изменяема намагнитеност. В зависимост от посоката на магнитното поле, зоната с променлива намагнитеност съхранява логическата 0 или 1. Записът на информацията става с помощта на ефекта на тунелния преход на електрона.

Характеристиките на новата памет са превъзходни. Скоростта на работа е по-близо до DRAM паметта, отколкото до NAND флаш паметта. STT MRAM едва ли ще замени оперативната памет, но тя има на практика безкраен ресурс на презапис и нейната поява на пазара ще бъде истински пробив. Освен това, за запис на информация в една клетка на STT MRAM паметта са необходими едва 7,5 микроампера ток.

Комерсиалното производство на STT MRAM памети се очаква да започне след три години. Първите образци на тази памет имат 11 нанометрови клетки и се произвеждат с помощта на 10 нанометров технологичен процес.